目前，半导体材料切割方法主要有内圆切割和多线磨料切割两种方法。内圆锯片切割是将锯片安装在专用张紧机构上，然后依靠内圆部分进行切割加工，它是目前200毫米以下硅棒切割最常用的方法。但随着300毫米和更大直径的单晶和多晶硅锭的生产成功，内圆锯片已经无法满足切割要求。因此，在20世纪80年代末出现了多线锯切割技术，从理论上来说，任意大规格的硅锭都可以由线锯来切割，而且一次可以切割很多片。多线锯切割是将游离磨料线锯来回绕成一排线网，在一定线速度的带动下，将浆料带入切割区域以去除工件材料的一种方法，目前已成为超大规格硅锭切割最常见的方法。
为了进一步提高切割效率，在游离磨料线锯切割技术上继续发展了固结磨料线锯切割技术，即通过电镀、树脂粘结等方法将磨料固定在高强度的钢丝上，加工过程中，固结在锯丝上的磨料直接获得运动速度和一定的压力以对工件材料进行切割，因而可以实现更高效率的切割，但其缺点是成本高。
固结磨料线锯切割后的硅片表面存在一层非晶硅组织，这层组织对硅材料形成了一层保护膜，增加了后续腐蚀工艺的难度，由于这层膜的存在，腐蚀工艺耗时是游离磨粒形成表面耗时的2倍。因此，目前工业上半导体材料的切片加工依然普遍使用游离磨料的线锯切割工艺。游离磨料线锯切割有价格低和表面质量好的优点，但其低下的切割效率依然是目前亟待解决的问题。